PEALE-Prozesskit für RIE-Ätzanlage SI 500

Die Friedrich-Schiller-Universität Jena beabsichtigt die Beschaffung eines PEALE-Prozesskits für eine bestehende RIE-Ätzanlage SI 500 der Firma Sentech. Diese Anlage wird für die Übertragung von Mikro- und Nanostrukturen mittels RIE-Verfahren in diverse Materialien genutzt. Durch die Erweiterung der Anlage wird die Durchführung von PEALE (Plasma Enhanced Atomic Layer Etching) Prozessen möglich. Die erweiterte Plasmaätzanlage soll zum Ätzen von Materialien eingesetzt werden, welche sich mit chlorhaltigen Gasen ätzen lassen. Nach Installation des PEALE-Prozesskits soll die Durchführung von Prozessen mit sehr geringen HF-Leistungen im Bereich von 15-30W und die Regelung von Prozessdruck und Gasflüssen für Zykluszeiten von ≤5s möglich sein. Weiterhin soll ein Echtzeit-Monitoring der Ätztiefe bzw. der verbleibenden Schichtdicke möglich sein und mitgeliefert werden. Eine Kontamination der Anlage mit ferromagnetischen Materialien ist nicht zulässig, bei der Materialauswahl zu installierender Komponenten ist deshalb darauf zu achten, dass keine ferromagnetischen Materialien eingetragen werden. Alle geforderten Spezifikationen sind in Anlage 2 aufgeführt.