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MBE-Sputtering-Dünnschicht- Wachstumsanlage

Universität Regensburg · 93053 Regensburg, Bayern

veröffentlicht 22.02.2023Offenes Verfahren

Angebotsfristseit 1321 Tagen abgelaufen

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Auf einen Blick

Art des Auftrags
keine Angabe
Geschätzter Wert
keine Angabe
Laufzeit
keine Angabe
Lose
1
Verfahren
Offenes Verfahrennational
Rahmenvereinbarung
keine Angabe
Ort der Leistung
93053 RegensburgBayern
Einreichung
evergabe.bayern.deArt der Einreichung nicht angegeben
Diese Bekanntmachung ist eine Kurzmeldung. Laufzeit, Lose, Eignungs- und Zuschlagskriterien stehen nur in den Unterlagen auf der Vergabeplattform.

Einordnungvon uns ausgewertet

Wer darf bieten?

Alle interessierten Unternehmen dürfen ein Angebot abgeben.

Wird verhandelt?

Es wird nicht verhandelt. Gewertet wird das Angebot so, wie es eingereicht wurde.

Was jetzt zu tun ist

Unterlagen auf der Vergabeplattform abrufen und das Angebot vollständig bis zur Angebotsfrist abgeben.

Obergrenze: Nationales Verfahren: Der Gesamtwert liegt unter dem jeweiligen EU-Schwellenwert (216.000 € für Liefer- und Dienstleistungen, 5.404.000 € für Bauleistungen). Ausnahme: kleine Lose eines EU-weiten Auftrags.

Bei dieser Vergabestelle vergehen von der ersten Meldung bis zum Ergebnis im Mittel 48 Tage (10 Verfahren, 24 Monate).

Sie erhält im Median 2,5 Angebote je Los (18 Lose mit Angabe).

Die Gewichtung von Preis und Leistung steht nicht in der Bekanntmachung, nur in den Vergabeunterlagen.

Unterlagen schon heruntergeladen? Vergabeunterlagen prüfen (Team): Fristen, Gewichtung, Mengen, Zertifikate und Fehler im Preisblatt.

Fristen und TermineStand 07.11.2026

  1. Veröffentlichung
    vor 44 Monaten
  2. Angebotsfrist 10:00 Uhr
    über evergabe.bayern.de
    vor 43 Monaten
  3. Heute

Beschreibung

Los 1: Die Universität Regensburg plant in der Fakultät für Physik die Beschaffung eines neuen Clusters bestehend aus Anlagen für Molekularstrahlepitaxie (MBE), einer Aufdampf- bzw. Oxidationsanlage und eines Sputtersystems. Die MBE ist dabei der unter anderem epitaktischen Abscheidung von Materialien mit hohem Schmelzpunkt und niedrigem Dampfdruck (z. B. Pt,Ta,W) sowie von Metallen mit Schmelzpunkten bis 1500°C und Oxiden gewidmet. Es soll dabei ein Multi-Pocket-Elektronenstrahlverdampfer mit Flussratenmessung zum Einsatz kommen, sowie die Möglichkeit geboten werden, das Substrat auf 1000°C heizen und <120K zu kühlen.

Los2: Die Sputteranlage soll dabei das Abscheiden von antiferro- und ferromagnetischen Materialien, sowie Materialien mit hohem Spin-Hall-Winkel (z.B. Pt, Ta, W) und guter magnetischer Kopplungseigenschaft (z.B. Ru, Ir) zweier magnetischer Lagen übernehmen. Es werden mindestens 8 Sputterquellenflansche für 2?-Sputterquellen benötigt.

MBE-Sputtering-Dünnschicht- Wachstumsanlage

AuftraggeberZur Seite der Vergabestelle

Anschrift
keine Angabe
Kontakt
keine Angabe

Marktumfeldvon uns ausgewertet

Vergabemeldungen der letzten 24 Monate mit Hauptgegenstand CPV 380 (Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)) in Bayern. Abgeleitet aus veröffentlichten Bekanntmachungen, keine amtliche Statistik. Zuschlagswerte unter 1.000 € zählen wir als Platzhalter nicht mit.

87vergebene Aufträge
1Angebote je Los im Median (72 Lose mit Angabe)
440.000 €Zuschlagswert im Median
313.273 € – 667.185 €mittlere Hälfte, 19 Werte

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Quelle: Bekanntmachungsservice des Bundes (oeffentlichevergabe.de), Lizenz CC0. Stand der Daten: 04.11.2026. Maßgeblich ist allein die Originalbekanntmachung. Kennung 19543524.