IBE IZHH

Im Innovationszentrum Hamburg werden in einem vom DLR zur Verfügung gestellten Reinraum Quantencomputer mit der Ionenfallen-Technologie in Zusammenarbeit von Industrie und DLR gebaut. Für die Ausstattung des neuen Reinraums wird ein spezifischer Maschinenpark zur Herstellung, Bearbeitung und Integration von Ionenfallenchips und verwandten Quantentechnologien beschafft. Im Rahmen dieser Ausschreibung werden Anlagen für eine klassische Mikrostrukturierungsprozesskette für den Reinraum beschafft. Teil der Prozesskette sind die Abscheidung und Strukturierung metallischer, dielektrischer und Halbleiter-Dünnschichten auf Substraten mit einem maximalen Durchmesser von 150 mm. Die Ausschreibung umfasst lediglich die spezifizierten Anlagen, die dafür benötigten Medien und Peripherien werden vom DLR separat bereitgestellt. Zur Strukturierung insbesondere von metallischen Schichten wird eine Anlage zum Ionenstrahlätzen (ion beam etching IBE) benötigt. Diese soll als Prozesse auch das reaktive Ionenstrahlätzen (reactive ion beam etching RIBE) und das chemisch unterstütze Ionenstrahlätzen (chemically assisted ion beam etching CAIBE) unterstützen. Mit den Verfahren sollen unter anderem Au, Al und SiO2 Dünnschichten auf 150 mm Wafern mittels Lackmaske strukturiert werden.