Fully automated tool CVD (IZM-136) - PR1246546-3460-P

1x Fully automated tool CVD

Die folgende Ausrüstungsspezifikation definiert einen vollautomatischen Cluster für die CVD-Abscheidung hochwertiger dielektrischer Schichten wie SiO₂ mit ausgezeichneter Liner-Konformität für extrem hohe Aspektverhältnisse, wie sie in TSV-Anwendungen zum Einsatz kommen, sowie mit vollständiger, porenfreier und nahtloser Füllung winziger, unregelmäßig geformter Hohlräume (Lücken) mit komplexen Profilen und extremen Abmessungen. Vor dem Prozess werden die Wafer in Front Opening Unified Pods (FOUPs) an das Gerät geliefert, die vom Bediener manuell auf die jeweiligen Ladeöffnungen gesetzt werden. Das Gerät muss in der Lage sein, die folgende Abfolge von Schritten vollautomatisch auszuführen: • Entnahme bestimmter Wafer aus dem FOUP • Durchführung von SACVD- und/oder PE-Prozessen • Rückführung der Wafer in die Ausgangsposition in den FOUP

Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines geeigneten Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein, wie es für Forschung und Entwicklung (F&E) erforderlich ist. Das zu beschaffende System mit neuen SACVD- und PECVD-Modulen der neuesten Generation für dielektrische Prozesse ermöglicht die Abscheidung von Oxidschichten in TSVs mit hohem Aspektverhältnis (Liner-Füllung), Damaszener-Oxid-RDL (z. B. für das Hybridbonden) sowie dielektrische Spaltfüllschichten im Hinblick auf das Die-to-Wafer-Bonden. Dabei ermöglicht die Handhabung die Bearbeitung von verdünnten und/oder gebondeten Wafern sowie Glaswafern (2,5D/3D-Systeme) mit starker Verwindung und Wölbung.

Optionale Features:

- Substratspezifikation LV-Pos.1.25 - SA-/PE-CVD, dielektrische Liner, TSVs und Tranches, hohes Seitenverhältnis LV-Pos. 3.17 - PECVD-Oxid, dielektrische Lückenfüllung bei niedrigen Temperaturen für unregelmäßige und komplexe Profile LV-Pos. 4.17