CAIBE & ICP Trockenätzer - PR352283-3240-W

Ausgeschrieben wird eine Chemically Assisted Ion Beam Etching (CAIBE) Anlage. Mit dieser Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in den Halbleiter übertragen werden. Geätzt werden sollen III-V Halbleitermaterialien InP, In(Al)GaAsP und In(Al)GaAs, sowie die Metallschichten Ti, Pt, und Au. Die Wafer sollen sowohl mit SiNx- als auch mit einer Lackmaske ätzbar sein. Des Weiteren muss die Ätzanlage über ein SIMS (Sekundär Ionen Massenspektrometer) Endpunktkontrollsystem verfügen, das die Erkennung von Materialübergängen erlaubt.

Ausgeschrieben wird eine ICP Trockenätzanlage, für die Ätzung der Materialien InP, In(Al)GaAsP und In(Al)GaAs in einem Einzel- (3", 4" und 6") und Multiwafer Betrieb (3x3"). Geätzt werden sollen die Materialien InP, In(Al)GaAsP und In(Al)GaAs in einem Einzel- (3", 4" und 6") und Multiwafer Betrieb (3x3"). Die Wafer sollen sowohl mit SiNx- als auch mit einer Lackmaske ätzbar sein. Auch eine Ätzung von Metallschichten soll möglich sein. Im ICP-Mode (Inductively Coupled Plasma) soll eine Ätzrate im 3"-Einzelwaferprozess von mindestens 250 nm/min und eine Selektivität zur SiNx-Maske von mindestens 10:1 erreicht werden. Die Anlage soll zusätzlich mit hohen Ätzraten Tiefenätzungen durchführen. Dies ist durch die Nutzung von reaktiven Gasen (z.B. Cl2) möglich.